Компания Intel в очередной раз подняла вопрос модульных процессоров и технологии Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB). Она позволяет объединять в единый блок чипы, созданные по разным технологическим процессам: например, подключить 10-нм к 22-нм, «собрав» таким образом «модульный» процессор.В таком наборе могут соседствовать высокопроизводительные элементы и энергоэффективные, но менее «шустрые». При этом последние не будут влиять на эффективность работы производительных.EMIB отличается от существующих методов объединения «кремния» — она не такая дорогостоящая, а ее влияние на производительность минимально. Отмечается, что технология уже применяется в Altera Stratix 10. В Intel пока не называют сроков появления потребительских процессоров с EMIB, однако утверждают, что технология будет играть значительную роль в продуктах компании уже в ближайшее время.
В ходе недавнего мероприятия 2017 Manufacturing Day компания Intel устами Марка Бора (Mark Bohr), старшего заслуженного исследователя и директора по архитектурам процессов и интеграции Intel, предложила отрасли внести ясность в определение технологических норм.Ранее переход на каждый следующий шаг приводил к удвоению степени интеграции или плотности компоновки: на той же площади кристалла помещалось вдвое больше транзисторов. Например, так было при переходе от 90 нм к 64 нм, а затем — к 45 нм и 32 нм. Однако в последнее время — по мнению Бора, это связано с ростом сложности дальнейшего уменьшения размеров — некоторые компании отказались от этого правила, используя все меньшие числа для обозначения норм при минимальном, а то и вовсе отсутствующем повышении плотности компоновки. В результате декларируемые значения не дают представления о реальных возможностях техпроцесса и его положении на графике, соответствующем закону Мура. Чтобы внести ясность, Intel предлагает определять возможности техпроцесса по формуле, в которую входят размеры типовых блоков — простейшей ячейки NAND и более сложного триггера — и число транзисторов в них. Относительная распространенность простых и более сложных элементов отражена в весовых коэффициентах.Новая метрика позволит сравнивать разные техпроцессыЕсли каждый производитель будет публиковать значение, полученное по этой формуле для того или иного техпроцесса, появится возможность сравнивать между собой разные техпроцессы одного производителя и разных производителей. Компании, занимающиеся обратным инжинирингом, смогут легко проверять заявленные значения.Еще одним распространенным строительным блоком для микросхем являются ячейки SRAM. Их наличие может заметно влиять на степень интеграции, определяемую как общее число транзисторов на единицу площади кристалла. Учитывая, что в разных микросхемах соотношение количества ячеек SRAM и логических блоков существенно отличается, размеры ячеек SRAM предлагается сообщать отдельно.
Техпроцессы с нормами 14 нм и транзисторами FinFET считаются достаточно дорогими решениями для массового использования. В то же время 14-нм FinFET полупроводники выгодно отличаются своими характеристиками от чипов с планарными транзисторами, выполненными с технологическими нормами 28 нм. Это снова заставляет искать золотую середину. С точки зрения компаний GlobalFoundries и Samsung, доступной по цене условной альтернативой техпроцессу 14 нм FinFET станет 22-нм планарный техпроцесс на пластинах FD-SOI из полностью обеднённого изолирующего слоя.Так, согласно планам GlobalFoundries, чипы с использованием техпроцесса 22FDX начнут выпускаться в Китае в 2019 году и в Германии на заводе компании в Дрездене. Учитывая, как тяжело внедряются новые техпроцессы класса 10 нм, техпроцессам класса 20 нм ещё жить и жить. Это подводит Intel к мысли, что для развития направления по контрактному производству чипов, которое компания вернула к жизни примерно пять лет назад, ей потребуется предложить какую-то достойную альтернативу техпроцессу на пластинах FD-SOI. Таким техпроцессом, как сообщили в Intel, станет упрощённый 22-нм техпроцесс с использованием FinFET транзисторов.В компании разработали две версии техпроцесса 22FFL: производительную, которая будет лишь немного уступать техпроцессу 14 нм FinFET, и энергоэффективную, со 100-кратным снижением токов утечек по сравнению с обычным 22-нм FinFET техпроцессом Intel. К сожалению, в компании отказались сравнить техпроцесс 22FFL и техпроцесс GlobalFoundries 22FDX. Также техпроцесс Intel 22FFL будет конкурировать с планарным 28-нм техпроцессом, который за годы всё ещё не растерял свою привлекательность в секторе производительных решений.По сравнению с 22 FinFET техпроцесс 22FFL использует чуть более крупную топологию, что скажется на плотности размещения транзисторов, но будет проще и дешевле с точки зрения производства. Например, шаг металлизации увеличен с 80 до 90 нм, что позволило использовать для литографической проекции всего один фотошаблон вместо двух, как раньше. Также в техпроцессе 22FFL увеличен шаг затворов с 90 до 108 нм. Добавим, что шаг рёбер составит 45 нм, а ячейка SRAM получит площадь 0,088 мкм2. Всего на одном квадратном миллиметре кристалла в техпроцессе 22FFL может разместиться до 18,8 млн транзисторов.По мнению Intel, техпроцесс 22FFL значительно укрепит контрактное производство компании. С помощью упрощённого техпроцесса можно будет выпускать сетевые процессоры и решения для вещей с подключением к Интернету. Малые токи утечки будут весьма кстати в устройствах с длительным временем ожидания и малым периодом активной работы.
>>2000313 (OP)О, интол перешли на сторону зла. FX-сектанты через 5..4..3..2..1..
>>2000319>FX-сектанты через 5..4..3..2..1..Они не придут, сгорели все при попытке раскрыть потанцевал в борьбе гиперпнём и 2600k.
>>2000327Доставь пикчу cpuz, где 9590 на 5 ггц
>>2000331
>>2000340>5 гигагерц>1.464 VМне казалось, что напряжение для такой горячей вафельницы должно быть побольше.
>>2000357Для скриншота чпуз хватает.
>>2000444Штеудомантры. Мимо фх[email protected] 1.3v
>>2000313 (OP)Будущее же, можно сделать много дешевых кукурузных ядер и 2-4 высокопроизводительных, при правильном планировщике будет огромное преимущество во всех задачах а цена низкая если амд опять не обосреться и будет конкуренция.
>>2002509>мимо без разницы сколько герц и вольт, потому что сосет в любых задачахОткорректировал с поправкой на реальность
>>2002615Штеудоблядь-корректор с задачами фепеесиков в игорях.
